图1（a）中给出了电子化合物筛选流程图。综合基于第一性原理的四种判断指标，包括电子局域函数、局部电荷密度、电子态密度、拓扑量子化学理论，共筛选出276种电子化合物。基于已有实验结果，结合多种泛函理论、磁构型配置和U值测试，发现51种为磁性电子化合物。根据电子维度、化学计量比、磁基态构型，对这些电子化合物进行了分类与总结，如图1（b）-（d）所示。从图1（d）中可以看出，间隙磁性（IM）电子化合物较铁磁（FM）和反铁磁（AFM）电子化合物更多，说明位于晶格间隙的多余电子是电子化合物中磁性形成的一大诱因。

对磁性电子化合物的电子结构进行了系统研究。如图2（a）和（b）所示，从其导电性角度讲，84.3%的磁性电子化合物为磁性金属，少数为磁性半导体。尤其，发现4种磁性电子化合物是半金属，具有100%自旋极化率。这些电子化合物在自旋电子学器件中具有重要应用前景。此外，对磁性电子化合物的拓扑电子结构进行了研究，发现它们展现出丰富的拓扑态，包括量子反常霍尔效应（QAHE）、Weyl节点（WP）、三重简并节点（TDNP）、Dirac节点（DP）、节线（NL）、节面（NS）等，如图2（c）所示。磁性拓扑电子化合物可以实现自旋极化拓扑费米子、漂浮拓扑表面态、磁控拓扑相变等，必将在拓扑物理领域获得关注。

电子化合物中，由于多余电子受原子核和晶格的束缚作用较弱，往往具有低的电子功函数。通过理论计算发现，超过60%的磁性电子化合物的功函数小于4 eV。比常规的电子发射材料的功函数低，如石墨烯（4.60 eV）、Cu（4.65 eV）、Ni（5.35 eV）等。尤其，反铁磁电子化合物Ba₄Al₅的功函数仅为2.02 eV，是目前报道的功函数最低的材料之一。所以，这些电子化合物非常有望被应用于电子发射器件中，其工作原理如图3（a）所示。

此外，这些磁性电子化合物还有望应用为高性能催化合成氨的促进剂，其中电子化合物的特性主要起到两个方面的作用：第一，低功函数特性赋予了电子化合物强电子供给能力，在合成氨过程中可以提供大量电子与N₂分子π键的反键态成键；第二，电子化合物中的大晶格空隙有利于可逆的氢储存/释放，抑制氨合成反应中“氢中毒”现象。其基本机制如图3（b）所示。以Gd₂MgNi₂为例，通过理论计算发现多个磁性电子化合物，如Ba₃MnN₃、Sr₃MnN₃、Gd₂MgNi₂、Dy₃Co 等，与最经典的电子化合物催化促进剂 C12A7:4e⁻的效果相当，但有望解决C12A7:4e⁻中存在的与过渡族金属催化剂难聚合的弊端。